东京，2024年7月3日 - 铠侠株式会社今日宣布，其采用第八代BiCS FLASHTM3D闪存技术的2Tb四级单元 (QLC) 存储器已开始送样(1)。这款2Tb QLC存储器拥有业界最大容量(²)，将存储器容量提升到一个全新的水平，将推动包括人工智
铠侠公司推出了业界首款面向车载应用的 UFS 4.0 嵌入式闪存样品，具备更高的读写速度，支持高速链路启动序列功能，以及多项优化数据可靠性和设备诊断的特性和功能。
8月21日消息，据外媒报道，虽然三星电子和SK海力士这两大存储芯片制造商，在今年上半年都已削减了存储芯片的产量，以应对需求减少导致的库存增加，但在市场需求未明显好转的情况下，存储芯片厂商仍面临不小的压力，库存依旧处在高
西数公司今天宣布，6月中旬因为断电导致日本地区5座NAND闪存晶圆厂停产的事故基本上恢复运营了，此次事件损失了大约6EB容量的NAND闪存，带来约合3.4亿美元的损失。
作为NAND闪存的发明人，虽然市场地位已经被三星超越，不过东芝存储(Toshiba Memory)的名字已经为人熟知，可惜今年10月开始这个名字就改为“Kioxia”，公司中文名为“铠侠株式会社”。
任天堂昨日发布的Switch Lite让沉寂已久的掌机市场又沸腾起来。不过任天堂的决心并不在此，因为第二代Switch已经获得了FCC认证。
据国外媒体报道，日本老牌电子业公司东芝周一发布了2018财年(三月底结束)的财报，财年净利润增长26%，至创纪录的1.01万亿日元(相当于91亿美元)，此前该公司在去年6月份出售了其价值不菲的闪存芯片业务。
三星在Galaxy S10系列发布会上推出了旗下首款可折叠智能手机Galaxy Fold，现在它终于要跟消费者见面了。
3D NAND技术诞生后，颗粒厂商们就开始在堆叠层数上做文章，目前最前沿的工艺是96层，不过，更狠的来了。
就在不久前，Intel宣布已经准备好大规模量产MRAM(磁阻式随机访问内存)，这种综合了RAM内存、NAND闪存的新型非易失性存储介质断电后不会丢失数据，写入速度则数千倍于闪存，可以兼做内存和硬盘，甚至统一两者。
MWC 2019期间，美光和闪迪(西部数据)双双宣布带来世界首批1TB容量的microSD存储小卡。
对于很多玩家来说，对于手机的性能是没有上限的，都希望手机的性能越高越好，而其上游供应商们也都在不断的努力，力争给大家带来更好的表现。
东芝宣布，已经试产了全球首个符合UFS 3.0标准的闪存存储方案，主要面向智能手机等移动设备，号称可带来媲美高端PC SSD固态硬盘的性能。
在过去的2019年，由于全球的NAND闪存全年一直处于供过于求的一个状况，因此导致其价格一直在下跌，这也就导致了西数、东芝等闪存大厂毛利率大幅度的下滑。
2018下半年，SSD和内存均进入价格下跌轨道，其中SSD幅度更大。业内预计，随着72层/96层TLC/QLC闪存在2019年的产能提升，未来以SSD为代表的闪存产品会有更大的价格下探空间。
据国外媒体报道，DRAMeXchange发布最新报告称，NAND Flash合约价格持续下滑，不仅SSD降价，eMMC / UFS闪存等移动产品如明年Q1手机也将减少10%。
今年8月初，NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V-NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb(128GB)。
11月8日消息，据国外媒体报道，苹果公司是存储芯片的一个主要消费者。苹果公司在2018财年售出2.17亿多万部iPhone手机中，都搭载了相当一部分的DRAM内存芯片和NAND闪存芯片。
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