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    • 千倍于闪存！三星量产eMRAM嵌入式磁阻内存：28nm工艺

    就在不久前，Intel宣布已经准备好大规模量产MRAM(磁阻式随机访问内存)，这种综合了RAM内存、NAND闪存的新型非易失性存储介质断电后不会丢失数据，写入速度则数千倍于闪存，可以兼做内存和硬盘，甚至统一两者。

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