韩国KAIST：外延工艺可改善Micro LED效率，并将散热减少40%

　　近期，韩国科学技术学院(KAIST)公布了一种全新的半导体外延工艺，宣称可改善解决高分辨率、小型化Micro LED的效率问题，并将散热减少40%。值得注意的是，这项研究获得了三星未来技术孵化中心的支持。

　　KAIST科研人员指出，随着显示技术发展，屏幕的形态也出现了越来越多可能性，比如可穿戴式(AR/VR)、卷屏式等等。然而，由于AR/VR硬件的体积限制，想要在AR/VR一体机上实现优质的体验面临多种挑战，在高分辨率(4K+)、长续航、小尺寸等方面需要做出取舍。因此就显示屏而言，实现小尺寸、高分辨率/像素密度、高效率则十分关键。

　　相比于OLED技术，Micro LED具有更出色的亮度、对比度和使用寿命，未来在AR/VR应用上具有潜力。但现阶段，Micro LED的像素缩小到微米级时，效率会急剧下降。但科研人员发现，在制造Micro LED时若使用外延结构工艺，则可以从根本上解决该问题。

　　据青亭网了解，外延指的是将氮化镓晶体(发光体)堆叠在超纯硅或蓝宝石衬底(Micro LED的介质)的过程。常见的Micro LED工艺通过蚀刻来将晶圆上的外延结构切割成圆柱体或长方体，这种蚀刻工艺伴随着某种基于等离子体的工艺，这些等离子体会在像素形成过程中造成像素缺陷侧壁形成缺陷。而随着像素尺寸变小、分辨率提升，像素的表面积与体积的比例增加，这时在加工过程中出现的侧壁缺陷将进一步降低Micro LED的效率。

　　在研究中，科研人员发现在运行期间，Micro LED受外延结构影响，其侧壁的电流存在差异。因此基于这个发现，该团队设计了一种对侧壁缺陷不敏感的结构，宣称可解决Micro LED小型化导致的效率降低问题，并显著减少散热，这种优化对于Micro LED的商业化具有重要意义。

　　参考：KAIST