7月27日消息,据国外媒体报道,芯片制造商SK海力士计划今年将3D NAND闪存产能削减15%,以放缓产能扩张速度。这一数据高于此前计划的10%。
这家芯片制造商表示,它将削减主要内存产品的产量,专注于高密度产品,以提高盈利能力。此外,该公司将重新考虑装配其M15和M16晶圆厂的计划,以减少资本支出。
2019年第二季度,由于SK海力士增加了72层3D NAND芯片的产量,而且总体需求有所增长,该公司的NAND闪存芯片出货量与上季度相比增长了40%,但平均售价下降了25%。
除了减少3D NAND晶圆的开工数量,SK海力士还将放缓其位于韩国青州附近的M15工厂洁净室空间的扩建速度。该工厂既能生产DRAM,也能生产3D NAND。
SK海力士还将推迟仁川附近M16工厂的设备安装。此外,该公司还透露,计划从2019年下半年开始,将其位于仁川的M10晶圆厂的部分生产线改造为CMOS图像传感器生产线,从而削减DRAM晶圆产量。
对于NAND闪存,SK海力士将从2019年下半年开始,专注于提高其72层3D NAND芯片的产量,扩大用于高端智能手机和SSD的96层4D NAND芯片的产量,并且还准备大规模生产128层1Tb TLC 4D NAND闪存产品。
日前,SK海力士发布了惨淡的2019年第二季度财报。财报显示,该公司的营收同比下滑了38%,至6.45万亿韩元;营业利润同比下降了89%,至6380亿韩元(合5.419亿美元),为三年来最低水平;净利润从去年同期的4.3万亿韩元降至5370亿韩元(约合4.6亿美元),较上年同期锐减88%。
该公司表示,其业绩不佳,是由于需求复苏弱于预期,以及中美紧张的贸易关系导致内存价格大幅下跌。(小狐狸)