东芝:完成128层3D NAND Flash芯片开发

　　3月7日消息，东芝和合作伙伴西部数据日前宣布，已经完成了128层3D NAND Flash芯片的开发，预计商用名会是BiCS-5。

　　BiCS-5理论容量密度提升约33%，晶片容量为512Gb(64GB)，计划2020年到2021年期间商用。

　　性能方面，BiCS-5芯片采用单Die四矩阵技术，写速相较于两矩阵翻番，达到132MB/s。这个速度怎么理解?就是SLC缓存饱和之后的SSD的真实写速。

　　有趣的是，128层产品为TLC，而非QLC，原因是后者的产能还很低。