西数发布iNAND EU511闪存芯片：UFS 3.0、写入达750MB/s

 　　三星S10似乎并未配备LPDDR5内存和UFS 3.0闪存，不过折叠屏Galaxy Fold则内建了512GB UFS 3.0闪存。

　　事实上，LPDDR5由于刚刚公布正式规范，按计划2020年才会登陆消费级产品。而UFS 3.0闪存则提前不少，但可能因为成本和支持的SoC(仅骁龙855、三星Exynos 9820等)较少的缘故，大规模的普及还需要酝酿。

　　MWC 2019期间，Western Digital(西部数据)发布了iNAND MC EU511闪存芯片，采用96层3D NAND，符合UFS 3.0规范。

　　性能方面，基于SmartSLC Generation 6，顺序写入速度高达750MB/s。

　　容量方面，单芯片64GB起步，最大512GB。

　　此前，iNAND产品归属与SanDisk(闪迪)，可以看出被西数收购后，后者要进一步强化统一化的品牌管理，机械硬盘领域的HGST(昱科)也是一样道理。

　　当然，UFS 3.0设计的最高数据传输速率可达2.9GB/s。