《韩国经济日报》(Hankyung)表示，SK 海力士将采用台积电 N5 工艺版基础裸片(Base Die)构建 HBM4 内存。

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伴随着3D NAND的堆叠层数越来越多，设备厂商以及存储厂商正在想方设法的研究新的生产技术从而改进生产效率。

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随着3D NAND的堆叠层数越来越多，厂家门也在着手研究新的生产技术以改进效率，SK海力士就在评估东京电子最新的低温蚀刻设备，该设备可以在-70℃的低温下运行，用来生成400层以上堆叠的新型3D NAND。低温蚀刻设备的钻孔速度是

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在第二季度，长期处于落后地位的 SK 海力士 (DRAM 厂商) 凭借高价值和高性能的内存 HBM 产品 (由持续热门的生成型 AI 带动) 销售火爆，使其与全球内存领导者三星电子的市场份额差距缩小至 6.3 个百分点，自 2009 年以来最

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Business Korea日前报道称，SK海力士将为苹果新发布的Vision Pro供应专用DRAM。

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据 businesskorea 以及 etnews 报道，SK 海力士将扩展其 HBM3 后道工艺生产线，并已收到英伟达要求其送测 HBM3E 样品的请求。

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10月7日消息，SK海力士在首尔COEX举行的SEDEX 2022上推出了用于智能手机的1.08亿像素图像传感器Hi-A811。

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7月23日消息，据国外媒体报道，特斯拉等多家公司已发布了今年二季度的财报，存储芯片供应商SK海力士，今日也公布了二季度的业绩。

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5月12日消息，据国外媒体报道，SK海力士今日与韩国科学技术院(KAIST)签署关于人工智能战略合作备忘录，双方将合作利用AI技术优化半导体制造。

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4月23日消息，据国外媒体报道，韩国半导体巨头SK海力士公布了2020财第一季度财报，财报显示，SK海力士第一季度净利润同比减少41%。

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4月3日消息， 根据TechPowerUp的消息，SK海力士今天在博客上更新了即将发布的DDR5内存的内容，最高可达8400MHz的速度。SK海力士表示其DDR5芯片将于今年开始大规模生产。

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3月30日消息，韩国半导体巨头SK海力士今日发文介绍称，旗下新款CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器采用了1.0微米像素技术。

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3月9日消息，据国外媒体报道，韩国半导体巨头SK海力士日前表示，该公司正在加强手机领域的CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器产品，从而在快速增长的市场中得到更多份额。

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2月26日消息，据国外媒体报道，韩国半导体巨头SK海力士今日发表声明称，部分媒体对公司存储器规格和AMD下一代GPU报道不实。

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2月24日消息，据国外媒体报道，受新型冠状病毒疫情影响，韩国半导体巨头SK海力士800多名员工正进行隔离。不过该公司表示，目前不影响运营。

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据韩国媒体报道称，自7月4日日本宣布半导体材料限韩令后，韩系半导体厂商至今已1个月未能从日本进口高纯度氟化氢及光阻剂材料。

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7月27日消息，据国外媒体报道，芯片制造商SK海力士计划今年将3D NAND闪存产能削减15%，以放缓产能扩张速度。这一数据高于此前计划的10%。

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据韩国媒体报道称，韩国存储芯片制造商海力士首席执行官李锡熙已于周日飞往日本，寻找获得关键半导体资源的方法。

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7月22日消息，据外媒报道，韩国存储芯片制造商海力士首席执行官李锡熙周日飞往日本，寻找获得关键半导体资源的方法。

网易科技报道

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我们都知道，玩家对于内存的频率追求是没有上限的，因此厂商们都在不断的去努力提高。

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SK海力士近日公布了第一颗DDR5-6400内存芯片，频率高达6400MHz，是现在多数DDR4内存的两倍左右，而单颗容量为16Gb(2GB)。

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这两年，DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，也带动内存条、固态硬盘持续动荡，而作为掌握核心芯片资源的三星电子、SK海力士、美光等巨头，自然是赚得盆满钵满，甚至不惜刻意压制产能来把控市场。

快科技 流年不利美光收入海力士

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本周，JEDEC(固态存储协会)正式发布了LPDDR5低功耗内存标准，最高频率设计为6400MHz，比第一代LPDDR4翻番，将为手机、平板、汽车等产品驱动更高性能提供保障。

快科技 海力士DDR5开发

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2月21日消息，据国外媒体报道，韩国存储芯片制造商SK海力士当地时间周四表示，其将投资1070亿美元建设四座内存芯片工厂。

腾讯科技 内存芯片海力士建厂

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2月21日消息，据国外媒体报道，全球第二大存储芯片制造商SK海力士周四表示，公司计划在2022年后投资120万亿韩元(约合1066.6亿美元)在韩国新建四座半导体晶圆厂。

TechWeb 海力士半导体工厂新建

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