AI 潮影响明显，TrendForce 上修本季度 DRAM 内存、NAND 闪存合约价涨幅预测

　　TrendForce 集邦咨询在今日的最新研报中称，AI 浪潮对 DRAM 内存和 NAND 闪存市场带来明显影响，推动该机构调升本季度两类存储产品的合约价涨幅。

　　具体而言，TrendForce 原先预估 2024 年二季度 DRAM 内存合约价上涨 3~8%，现估计为 13~18%;

　　而在 NAND 闪存方面，原预估上涨 13~18%，新预估为 15~20%，仅 eMMC / UFS 涨幅较低，为 10%。

　　TrendForce 表示，该机构原预计在连续两三个季度的涨价后，DRAM 内存、NAND 闪存需求方接受大幅涨价的意愿不强。

　　但来到四月下旬，存储业者完成台湾地区地震后首轮合约价议价，涨幅相较预期扩大。究其原因，除买方意欲支撑手中库存价格外，影响更大的是AI 热潮对存储业供需双方带来了心理上的转变。

　　在 DRAM 市场方面，存储原厂担忧 HBM 内存产能的放量将进一步排挤传统内存的供给：

　　据IT之家早前报道，美光表示 HBM3E 内存的晶圆量消耗 3 倍于传统 DDR5 内存;研报中称，到 2024 年底三星电子 1αnm 制程整体 DRAM 产能的约六成将由 HBM3e 内存占用。

　　需求方在评估后，转而考虑在二季度提前为 DRAM 内存进行备货，应对三季度起 HBM 内存产量提升带来的供应紧张局势。

　　而在 NAND 闪存产品上，节能成为 AI 推理服务器的优先考量，北美云服务业者扩大对 QLC 企业级固态硬盘的采用。闪存产品库存加速下降，在此背景下部分供应方出现了惜售心态。

　　不过研报中也提到，受限于消费级产品需求复苏情况尚不明朗，存储原厂对非 HBM 内存产能的资本支出仍趋于保守，尤其是仍处于损益平衡点的 DRAM 闪存。