台积电升级 CoWoS 封装技术，计划2027推出12个HBM4E 堆栈的120x120mm 芯片

　　台积电近日在北美技术研讨会上宣布，正在研发 CoWoS 封装技术的下个版本，可以让系统级封装(SiP)尺寸增大两倍以上，实现 120x120mm 的超大封装，功耗可以达到千瓦级别。

　　根据台积电官方描述，CoWoS 封装技术继任者所创建的硅中介层，其尺寸是光掩模(Photomask，也称 Reticle，大约为 858 平方毫米)是 3.3 倍。

　　CoWoS 封装技术继任者可以封装逻辑电路、8 个 HBM3 / HBM3E 内存堆栈、I / O 和其他芯粒(Chiplets)，最高可以达到 2831 平方毫米，最大基板尺寸为 80×80 毫米。消息称AMD的 Instinct MI300X 和 Nvidia 的 B200 都使用这种技术。

　　台积电计划 2026 年投产下一代 CoWoS_L，硅中介层尺寸可以达到光掩模的 5.5 倍，可以封装逻辑电路、 12 个 HBM3 / HBM3E 内存堆栈、I / O 和其他芯粒(Chiplets)，最高可以达到 4719 平方毫米。

　　台积电还计划在 2027 年继续推进 CoWoS 封装技术，让硅中介层尺寸达到光掩模的 8 倍以上，提供 6864 平方毫米的空间，封装 4 个堆叠式集成系统芯片 (SoIC)，与 12 个 HBM4 内存堆栈和额外的 I / O 芯片。