SK海力士明年启动HBM4内存研发 HBM3E即将量产

　　在今年存储市场整体低迷的情况下，不少厂商却凭借人工智能计算的爆发机会，在计算卡以及服务器内存领域大放异彩，其中SK海力士作为英伟达高带宽存储器合作伙伴，SK海力士延续了HBM市场的领导地位，在市场份额和营收方面都有着不错的表现。近日SK海力士在介绍2024年存储产品线的时候，已确认明年将启动下一代HBM4的开发工作，为数据中心和人工智能产品提供动力。

　　SK海力士表示，HBM3E会在2024年进入批量生产，新内存将提供更高的速度和容量，而启动HBM4的开发工作标志着HBM产品的持续发展迈出了重要的一步。GSM团队负责人Kim Wang-soo说：”随着明年HBM3E计划的大规模生产和销售，我们的市场优势将再次得到最大限度的发挥。由于后续产品HBM4的开发工作也将如火如荼地展开，SK海力士的HBM明年将进入一个新阶段。“

　　此前有报道称，下一代HBM4设计会有重大的变化，内存堆栈将采用2048位接口。自2015年以来，每个HBM堆栈采用的都是1024位接口，将位宽翻倍是HBM内存技术推出后最大的变化。如果HBM4能保持现有的引脚速度，意味着带宽将从现在HBM3E的1.15TB/s提升至2.3TB/s，提升会相当明显。传闻HBM4在堆栈的层数上也有所变化，除了首批的12层垂直堆叠，2027年还会带来16层垂直堆叠。同时HBM还会往更为定制化的方向发展，不仅排列在SoC主芯片旁边，部分还会转向堆栈在SoC主芯片之上。