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    • 三星被判侵犯FinFET工艺专利：罚款4亿美元

    根据美国德克萨斯州联邦法院的裁决，三星电子侵犯了一家韩国大学关于双栅极FinFET半导体工艺的技术专利，必须赔偿4亿美元。

  • 快科技 FinFET工艺专利罚款三星
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