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    • 400 层堆叠 3D NAND 闪存将至，东京电子宣布开发出全新蚀刻技术

    东京电子(TEL)近日宣布，已开发出一种用于存储芯片的通孔蚀刻技术，可用于制造 400 层以上堆叠的 3D NAND 闪存芯片。TEL 表示，该技术首次将电蚀刻应用带入到低温范围中，并创造性地发明了具有极高蚀刻速率的系统。

  • IT之家 东京电子
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